RGT40NS65D Todos los transistores

 

RGT40NS65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT40NS65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

RGT40NS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  rohm
 rgt40ns65d.pdf pdf_icon

RGT40NS65D

RGT40NS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS (TO-263S)VCES650V(2) IC(100C)20AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD161WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

 9.1. Size:743K  rohm
 rgt40ts65d.pdf pdf_icon

RGT40NS65D

RGT40TS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)20AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD144W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXYQ40N65C3D1 | VS-GB100TP120N | FD800R33KF2C-K | SKM150GB174D | CM400DY-24NF | IGW75N60H3 | IKB40N65ES5

 

 
Back to Top

 


 
.