RGT40NS65D - аналоги и описание IGBT

 

RGT40NS65D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: RGT40NS65D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RGT40NS65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT40NS65D даташит

 ..1. Size:805K  rohm
 rgt40ns65d.pdf pdf_icon

RGT40NS65D

RGT40NS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline LPDS (TO-263S) VCES 650V (2) IC(100 C) 20A VCE(sat) (Typ.) 1.65V (1) (3) PD 161W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

 9.1. Size:743K  rohm
 rgt40ts65d.pdf pdf_icon

RGT40NS65D

RGT40TS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 20A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 144W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built i

Другие IGBT... IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 , ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT16NS65D , RGT30NS65D , IRG4PC40W , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.