Справочник IGBT. RGT40NS65D

 

RGT40NS65D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT40NS65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 40 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для RGT40NS65D

 

 

RGT40NS65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:805K  rohm
 rgt40ns65d.pdf

RGT40NS65D RGT40NS65D

RGT40NS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline LPDS (TO-263S)VCES650V(2) IC(100C)20AVCE(sat) (Typ.)1.65V(1) (3) PD161WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FR

 9.1. Size:743K  rohm
 rgt40ts65d.pdf

RGT40NS65D RGT40NS65D

RGT40TS65D 650V 20A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)20AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD144W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built i

Другие IGBT... IXA40I4000KN , IXA40RG1200DHGLB , IXA70R1200NA , ISL9V3040P3 , ISL9V3040S3 , RGT00TS65D , RGT16NS65D , RGT30NS65D , IXRH40N120 , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , RGT8BM65D , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D .

 

 
Back to Top