RGT8BM65D Todos los transistores

 

RGT8BM65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT8BM65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 31 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 4 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 14 pF
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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RGT8BM65D Datasheet (PDF)

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RGT8BM65D

RGT8BM65D 650V 4A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-252VCES650V(2) IC(100C)4A(1) VCE(sat) (Typ.)1.65V(3) PD62WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built

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History: IRG4BC15MD | STGF7NC60KD

 

 
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