RGT8BM65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RGT8BM65D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 31 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 14 pF

Encapsulados: TO252

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RGT8BM65D datasheet

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RGT8BM65D

RGT8BM65D 650V 4A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-252 VCES 650V (2) IC(100 C) 4A (1) VCE(sat) (Typ.) 1.65V (3) PD 62W lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) Low Switching Loss (2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5 s (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Built

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