Справочник IGBT. RGT8BM65D

 

RGT8BM65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT8BM65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 4 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 14 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 13.5 nC
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для RGT8BM65D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT8BM65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:718K  rohm
 rgt8bm65d.pdf pdf_icon

RGT8BM65D

RGT8BM65D 650V 4A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-252VCES650V(2) IC(100C)4A(1) VCE(sat) (Typ.)1.65V(3) PD62WlFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) Low Switching Loss(2) Collector *1 3) Short Circuit Withstand Time 5s(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Built

Другие IGBT... RGT00TS65D , RGT16NS65D , RGT30NS65D , RGT40NS65D , RGT40TS65D , RGT50TS65D , RGT60TS65D , RGT80TS65D , IRG4PC40W , RGT8NS65D , RGTH00TS65 , RGTH00TS65D , RGTH40TS65 , RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D , RGTH60TS65 .

 

 
Back to Top

 


 
.