RGTH00TS65 Todos los transistores

 

RGTH00TS65 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGTH00TS65
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 138 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 106 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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RGTH00TS65 PDF specs

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RGTH00TS65

RGTH00TS65 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 277W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant (3) lApplica... See More ⇒

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RGTH00TS65

RGTH00TS65D 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data Sheet lOutline TO-247N VCES 650V IC(100 C) 50A VCE(sat) (Typ.) 1.6V PD 277W (1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (2) (1) Gate 2) High Speed Switching (2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching (3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD *1 Bui... See More ⇒

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