Справочник IGBT. RGTH00TS65

 

RGTH00TS65 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGTH00TS65
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 106 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 94 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для RGTH00TS65

 

 

RGTH00TS65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  rohm
 rgth00ts65.pdf

RGTH00TS65 RGTH00TS65

RGTH00TS65 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)50AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD277W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector 3) Low Switching Loss & Soft Switching (1) (3) Emitter 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant(3) lApplica

 0.1. Size:740K  rohm
 rgth00ts65d.pdf

RGTH00TS65 RGTH00TS65

RGTH00TS65D 650V 50A Field Stop Trench IGBT Data SheetlOutline TO-247NVCES650VIC(100C)50AVCE(sat) (Typ.)1.6VPD277W(1)(2)(3) lFeatures lInner Circuit1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(2) (1) Gate 2) High Speed Switching(2) Collector *1 3) Low Switching Loss & Soft Switching(3) Emitter (1) 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD*1 Bui

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top