1MBH50-060 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MBH50-060  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 650 pF

Encapsulados: TO3PL

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1MBH50-060 datasheet

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1MBH50-060

1MBH50-060,1MBH50D-060, Molded IGBT 600V / 50A Molded Package Features Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-up Applications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Equivalent Circuit Schemati

 8.1. Size:225K  fuji
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1MBH50-060

1MBH50-060,1MBH50D-060, Molded IGBT 600V / 50A Molded Package Features Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-up Applications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Equivalent Circuit Schemati

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