Справочник IGBT. 1MBH50-060

 

1MBH50-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBH50-060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 82 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 650 pF
   Тип корпуса: TO3PL
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

1MBH50-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  fuji
 1mbh50-060.pdf pdf_icon

1MBH50-060

1MBH50-060,1MBH50D-060,Molded IGBT600V / 50AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schemati

 8.1. Size:225K  fuji
 1mbh50d-060.pdf pdf_icon

1MBH50-060

1MBH50-060,1MBH50D-060,Molded IGBT600V / 50AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circuit Schemati

Другие IGBT... 1MBH10D-120 , 1MBH15-120 , 1MBH15D-060 , 1MBH15D-120 , 1MBH20D-060 , 1MBH25-120 , 1MBH25D-120 , 1MBH30D-060 , SGT60N60FD1P7 , 1MBH50D-060 , HCKW40N65H2 , HCKW60N65BH2A , HCKW60N65CH2A , HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 , 2N6976 .

History: STGP7NC60H | CM600DXL-24S | CM100RL-24NF | CM50YE13-12H | DM2G150SH6NE | XD015H120CX1S3 | MMG200D120B6UC

 

 
Back to Top

 


 
.