1MBH50-060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 1MBH50-060  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 82 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 650 pF

Тип корпуса: TO3PL

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 1MBH50-060

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBH50-060 даташит

 ..1. Size:225K  fuji
 1mbh50-060.pdf pdf_icon

1MBH50-060

1MBH50-060,1MBH50D-060, Molded IGBT 600V / 50A Molded Package Features Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-up Applications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Equivalent Circuit Schemati

 8.1. Size:225K  fuji
 1mbh50d-060.pdf pdf_icon

1MBH50-060

1MBH50-060,1MBH50D-060, Molded IGBT 600V / 50A Molded Package Features Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-up Applications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Equivalent Circuit Schemati

Другие IGBT... 1MBH10D-120, 1MBH15-120, 1MBH15D-060, 1MBH15D-120, 1MBH20D-060, 1MBH25-120, 1MBH25D-120, 1MBH30D-060, CRG60T60AK3HD, 1MBH50D-060, HCKW40N65H2, HCKW60N65BH2A, HCKW60N65CH2A, HCKW75N65BH2, HCKW75N65FH2, 2N6975, 2N6976