HIA20N60BP IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIA20N60BP
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 67 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 98 pF
Encapsulados: TO247
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HIA20N60BP datasheet
hia20n60bp.pdf
Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-247 FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 G C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-
hia20n140ih-da.pdf
Aug. 2023 HIA20N140IH-DA 1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 1400 V Extremely low switching loss IC 20 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltage Eoff 0.95 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package & Internal Circuit Application TO-247 SYMBOL
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