HIA20N60BP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HIA20N60BP

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 192

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 67

Емкость коллектора (Cc), pf: 98

Корпус: TO247

Аналог (замена) для HIA20N60BP

HIA20N60BP Datasheet (PDF)

1.1. hia20n60bp.pdf Size:664K _igbt_a

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIA20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-247 FEATURES Low VCE(sat) Maximum Junction Temperature 150 G C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-

Другие IGBT... RGTH40TS65D , RGTH50TS65 , RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , IXGR40N60C2D1 , HIA30N60BP , HIH20N60BP , HIH25N120TN , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF , HIL40N120VF , APT100GN120JDQ4 .