HIH20N60BP Todos los transistores

 

HIH20N60BP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIH20N60BP
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 67 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 98 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 70 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

HIH20N60BP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  semihow
 hih20n60bp.pdf pdf_icon

HIH20N60BP

Dec 2013VCES = 600 VIC = 20 AHIH20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-3PFEATURES Low VCE(sat)G Maximum Junction Temperature 150 CE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-E

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History: IXSP20N60B2D1 | MWI225-12E9 | IXGK320N60B3

 

 
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