HIH20N60BP Todos los transistores

 

HIH20N60BP IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIH20N60BP

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 192 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 67 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 98 pF

Encapsulados: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de HIH20N60BP IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HIH20N60BP datasheet

 ..1. Size:644K  semihow
 hih20n60bp.pdf pdf_icon

HIH20N60BP

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIH20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-3P FEATURES Low VCE(sat) G Maximum Junction Temperature 150 C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-E

Otros transistores... RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , FGD4536 , HIH25N120TN , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF , HIL40N120VF , APT100GN120JDQ4 , APT100GT60JR , APT12GT60KRG .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.