Справочник IGBT. HIH20N60BP

 

HIH20N60BP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HIH20N60BP

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 192

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 67

Емкость коллектора (Cc), pf: 98

Корпус: TO3P

Аналог (замена) для HIH20N60BP

 

 

HIH20N60BP Datasheet (PDF)

1.1. hih20n60bp.pdf Size:644K _igbt_a

HIH20N60BP
HIH20N60BP

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIH20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-3P FEATURES Low VCE(sat) G Maximum Junction Temperature 150 C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-E

Другие IGBT... RGTH50TS65D , RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , RJP30H1DPD , HIH25N120TN , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF , HIL40N120VF , APT100GN120JDQ4 , APT100GT60JR , APT12GT60KRG .

Back to Top

 


HIH20N60BP
  HIH20N60BP
  HIH20N60BP
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top