HIH20N60BP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIH20N60BP  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 98 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIH20N60BP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIH20N60BP даташит

 ..1. Size:644K  semihow
 hih20n60bp.pdf pdf_icon

HIH20N60BP

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 20 A HIH20N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-3P FEATURES Low VCE(sat) G Maximum Junction Temperature 150 C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-E

Другие IGBT... RGTH50TS65D, RGTH60TS65, RGTH60TS65D, RGTH80TS65, RGTH80TS65D, RJP4007ANS, HIA20N60BP, HIA30N60BP, FGH40N60SFD, HIH25N120TN, HIH30N120TF, HIH30N60BP, HIL40N120TF, HIL40N120VF, APT100GN120JDQ4, APT100GT60JR, APT12GT60KRG