HIH25N120TN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIH25N120TN  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF

Encapsulados: TO3P

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HIH25N120TN IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HIH25N120TN datasheet

 ..1. Size:870K  semihow
 hih25n120tn.pdf pdf_icon

HIH25N120TN

Dec 2013 VCES = 1200 V IC = 25 A HIH25N120TN VCE(sat) typ = 1.9 V 1200V NPT Trench IGBT TO-3P FEATURES 1200V NPT Trench Technology G High Speed Switching C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V Collector Current Continuous (TC =

Otros transistores... RGTH60TS65, RGTH60TS65D, RGTH80TS65, RGTH80TS65D, RJP4007ANS, HIA20N60BP, HIA30N60BP, HIH20N60BP, IXGH60N60, HIH30N120TF, HIH30N60BP, HIL40N120TF, HIL40N120VF, APT100GN120JDQ4, APT100GT60JR, APT12GT60KRG, APT13GP120BDQ1G