HIH25N120TN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIH25N120TN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 230 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de HIH25N120TN - IGBT
HIH25N120TN Datasheet (PDF)
hih25n120tn.pdf
Dec 2013VCES = 1200 VIC = 25 AHIH25N120TN VCE(sat) typ = 1.9 V1200V NPT Trench IGBTTO-3PFEATURES 1200V NPT Trench TechnologyG High Speed SwitchingCE Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Continuous (TC =
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Liste
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