HIH25N120TN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIH25N120TN  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HIH25N120TN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIH25N120TN даташит

 ..1. Size:870K  semihow
 hih25n120tn.pdf pdf_icon

HIH25N120TN

Dec 2013 VCES = 1200 V IC = 25 A HIH25N120TN VCE(sat) typ = 1.9 V 1200V NPT Trench IGBT TO-3P FEATURES 1200V NPT Trench Technology G High Speed Switching C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V Collector Current Continuous (TC =

Другие IGBT... RGTH60TS65, RGTH60TS65D, RGTH80TS65, RGTH80TS65D, RJP4007ANS, HIA20N60BP, HIA30N60BP, HIH20N60BP, FGPF4536, HIH30N120TF, HIH30N60BP, HIL40N120TF, HIL40N120VF, APT100GN120JDQ4, APT100GT60JR, APT12GT60KRG, APT13GP120BDQ1G