Справочник IGBT. HIH25N120TN

 

HIH25N120TN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HIH25N120TN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 312
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 65
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 105
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 230
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для HIH25N120TN

 

 

HIH25N120TN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  semihow
hih25n120tn.pdf

HIH25N120TN
HIH25N120TN

Dec 2013VCES = 1200 VIC = 25 AHIH25N120TN VCE(sat) typ = 1.9 V1200V NPT Trench IGBTTO-3PFEATURES 1200V NPT Trench TechnologyG High Speed SwitchingCE Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Continuous (TC =

Другие IGBT... RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP , RJH60D2DPE , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF , HIL40N120VF , APT100GN120JDQ4 , APT100GT60JR , APT12GT60KRG , APT13GP120BDQ1G .

 

 
Back to Top