HIH25N120TN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HIH25N120TN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 312

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 65

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 105

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HIH25N120TN

HIH25N120TN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  semihow
 hih25n120tn.pdf

Dec 2013VCES = 1200 VIC = 25 AHIH25N120TN VCE(sat) typ = 1.9 V1200V NPT Trench IGBTTO-3PFEATURES 1200V NPT Trench TechnologyG High Speed SwitchingCE Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Continuous (TC =

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , HCKZ75N65BH2 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .