HIH25N120TN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIH25N120TN
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для HIH25N120TN
HIH25N120TN Datasheet (PDF)
hih25n120tn.pdf

Dec 2013VCES = 1200 VIC = 25 AHIH25N120TN VCE(sat) typ = 1.9 V1200V NPT Trench IGBTTO-3PFEATURES 1200V NPT Trench TechnologyG High Speed SwitchingCE Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Continuous (TC =
Другие IGBT... RGTH60TS65 , RGTH60TS65D , RGTH80TS65 , RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP , RJP30H2A , HIH30N120TF , HIH30N60BP , HIL40N120TF , HIL40N120VF , APT100GN120JDQ4 , APT100GT60JR , APT12GT60KRG , APT13GP120BDQ1G .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124