HIL40N120TF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HIL40N120TF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 320 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de HIL40N120TF - IGBT
HIL40N120TF Datasheet (PDF)
hil40n120tf.pdf
Dec 2013VCES = 1200 VIC = 40 AHIL40N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-264FEATURES 1200V Field Stop Trench Technology High Speed SwitchingG C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Conti
hil40n120vf.pdf
Jan 2014VCES = 1200 VIC = 40 AHIL40N120VF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-264Employing Field Stop technology, CO-PAK, IGBT with FRD.1200V/40A planar gate IGBTs provide low Conduction,switching losses and very good ruggedness. ApplicationsG C EInduction Heating, UPS, welding convertersand general purpose inverters. Absolute Maximum RatingsSymbol P
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Liste
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