HIL40N120TF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HIL40N120TF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF

Encapsulados: TO264

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HIL40N120TF datasheet

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HIL40N120TF

Dec 2013 VCES = 1200 V IC = 40 A HIL40N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V 1200V Field Stop Trench IGBT TO-264 FEATURES 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching G C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V Collector Current Conti

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HIL40N120TF

Jan 2014 VCES = 1200 V IC = 40 A HIL40N120VF VCE(sat) typ = 2.0 V 1200V Field Stop Trench IGBT TO-264 Employing Field Stop technology, CO-PAK, IGBT with FRD. 1200V/40A planar gate IGBTs provide low Conduction, switching losses and very good ruggedness. Applications G C E Induction Heating, UPS, welding converters and general purpose inverters. Absolute Maximum Ratings Symbol P

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