HIL40N120TF Todos los transistores

 

HIL40N120TF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HIL40N120TF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 480 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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HIL40N120TF Datasheet (PDF)

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HIL40N120TF

Dec 2013VCES = 1200 VIC = 40 AHIL40N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-264FEATURES 1200V Field Stop Trench Technology High Speed SwitchingG C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Conti

 5.1. Size:851K  semihow
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HIL40N120TF

Jan 2014VCES = 1200 VIC = 40 AHIL40N120VF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-264Employing Field Stop technology, CO-PAK, IGBT with FRD.1200V/40A planar gate IGBTs provide low Conduction,switching losses and very good ruggedness. ApplicationsG C EInduction Heating, UPS, welding convertersand general purpose inverters. Absolute Maximum RatingsSymbol P

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History: IGA30N60H3 | AIKW50N65DH5 | HGTP6N40E1D | 1MBC03-120 | IGC11T120T6L | MP6752 | CT20ASL-8

 

 
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