HIL40N120TF - аналоги и описание IGBT

 

HIL40N120TF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HIL40N120TF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для HIL40N120TF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIL40N120TF даташит

 ..1. Size:909K  semihow
 hil40n120tf.pdf pdf_icon

HIL40N120TF

Dec 2013 VCES = 1200 V IC = 40 A HIL40N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V 1200V Field Stop Trench IGBT TO-264 FEATURES 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching G C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V Collector Current Conti

 5.1. Size:851K  semihow
 hil40n120vf.pdf pdf_icon

HIL40N120TF

Jan 2014 VCES = 1200 V IC = 40 A HIL40N120VF VCE(sat) typ = 2.0 V 1200V Field Stop Trench IGBT TO-264 Employing Field Stop technology, CO-PAK, IGBT with FRD. 1200V/40A planar gate IGBTs provide low Conduction, switching losses and very good ruggedness. Applications G C E Induction Heating, UPS, welding converters and general purpose inverters. Absolute Maximum Ratings Symbol P

Другие IGBT... RGTH80TS65D , RJP4007ANS , HIA20N60BP , HIA30N60BP , HIH20N60BP , HIH25N120TN , HIH30N120TF , HIH30N60BP , RJP30H2A , HIL40N120VF , APT100GN120JDQ4 , APT100GT60JR , APT12GT60KRG , APT13GP120BDQ1G , APT150GN120JDQ4 , APT150GT120JR , APT15GN120KG .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.