ART20U120 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ART20U120 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 630 pF
Encapsulados: TO247AC
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ART20U120 datasheet
art20u120.pdf
ART20U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3,8 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=20A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units Max Collector-to-Emitter Voltage VCES V 1200 Continuous Collector Curr
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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