ART20U120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ART20U120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 630 pF
Paquete / Cubierta: TO247AC
Búsqueda de reemplazo de ART20U120 IGBT
ART20U120 Datasheet (PDF)
art20u120.pdf

ART20U120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features High short circuit rating optimized for motor control Low conduction losses VCES=1200 V High switching speed VCE(on) typ. =3,8 V Tighter parameter distribution @VGE =15V, Ic=20A N-channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Units MaxCollector-to-Emitter Voltage VCES V 1200Continuous Collector Curr
Otros transistores... APT65GP60B2G , APT65GP60JDQ2 , APT75GN120JDQ3 , APT75GN60BDQ2G , APT75GN60LDQ3G , APT75GN60SDQ2G , APT75GT120JRDQ3 , ART10U120 , CRG40T60AK3HD , ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V .
History: IXEH25N120D1 | NGTB30N120IHS | IXER20N120 | STGW80V60DF | SKB06N60HS | 2MBI100N-060 | VS-GB75LP120N
History: IXEH25N120D1 | NGTB30N120IHS | IXER20N120 | STGW80V60DF | SKB06N60HS | 2MBI100N-060 | VS-GB75LP120N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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