HGTM12N50E1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTM12N50E1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5(max) V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: TO3
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HGTM12N50E1 datasheet
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Otros transistores... HGTP10N40F1D , HGTP10N50C1 , HGTP10N50C1D , HGTP10N50E1 , HGTP10N50E1D , HGTP10N50F1D , HGTP11N120CN , HGTM12N50C1 , RJP30E2DPP-M0 , HGTP12N60A4 , HGTP12N60A4D , HGTP12N60B3 , HGTP12N60B3D , HGTP12N60C3 , HGTP12N60C3D , HGTP12N60D1 , HGTP14N36G3VL .
History: HGTP12N60B3D | HGTP12N60A4D | HGTP10N40C1
History: HGTP12N60B3D | HGTP12N60A4D | HGTP10N40C1
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