HGTM12N50E1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: HGTM12N50E1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 500
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 12
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.5(max)
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 19
   Тип корпуса: TO3

 Аналог (замена) для HGTM12N50E1

 

 

HGTM12N50E1 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... HGTP10N40F1D , HGTP10N50C1 , HGTP10N50C1D , HGTP10N50E1 , HGTP10N50E1D , HGTP10N50F1D , HGTP11N120CN , HGTM12N50C1 , BT40T60ANF , HGTP12N60A4 , HGTP12N60A4D , HGTP12N60B3 , HGTP12N60B3D , HGTP12N60C3 , HGTP12N60C3D , HGTP12N60D1 , HGTP14N36G3VL .