SSM28G45EM Todos los transistores

 

SSM28G45EM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM28G45EM
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(PULSE) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSM28G45EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  silicon standard
ssm28g45em.pdf pdf_icon

SSM28G45EM

SSM28G45EMN-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORHigh input impedance VCE 450VCHigh peak current capability ICP 130ACCC3.3V gate driveCGGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 450 VVGEGate-Emitter Voltage 6 VVGEPPulsed Gate-Emitter Voltage 8 VICPPulsed Collector Current 130 APD @ T

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1

 

 
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