SSM28G45EM Todos los transistores

 

SSM28G45EM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM28G45EM
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 2.5
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 450
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 6
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 130(PULSE)
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 3.8
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 220
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 74
   Paquete / Cubierta: SO8

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SSM28G45EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  silicon standard
ssm28g45em.pdf

SSM28G45EM
SSM28G45EM

SSM28G45EMN-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORHigh input impedance VCE 450VCHigh peak current capability ICP 130ACCC3.3V gate driveCGGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 450 VVGEGate-Emitter Voltage 6 VVGEPPulsed Gate-Emitter Voltage 8 VICPPulsed Collector Current 130 APD @ T

Otros transistores... SPM1001 , SPM1002 , SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , GT60N321 , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D .

 

 
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