SSM28G45EM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM28G45EM
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(PULSE) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de SSM28G45EM IGBT
SSM28G45EM Datasheet (PDF)
ssm28g45em.pdf

SSM28G45EMN-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTORHigh input impedance VCE 450VCHigh peak current capability ICP 130ACCC3.3V gate driveCGGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 450 VVGEGate-Emitter Voltage 6 VVGEPPulsed Gate-Emitter Voltage 8 VICPPulsed Collector Current 130 APD @ T
Otros transistores... SPM1001 , SPM1002 , SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , XNF15N60T , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D .
History: SKM150GM12T4G | AOB30B65LN2V | SKM200GB124D | IQGB228N120I4 | SKM200GAR123D
History: SKM150GM12T4G | AOB30B65LN2V | SKM200GB124D | IQGB228N120I4 | SKM200GAR123D



Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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