SSM28G45EM Todos los transistores

 

SSM28G45EM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM28G45EM

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2.5 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(PULSE) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF

Encapsulados: SO8

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SSM28G45EM datasheet

 ..1. Size:242K  silicon standard
 ssm28g45em.pdf pdf_icon

SSM28G45EM

SSM28G45EM N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR High input impedance VCE 450V C High peak current capability ICP 130A C C C 3.3V gate drive C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter Voltage 450 V VGE Gate-Emitter Voltage 6 V VGEP Pulsed Gate-Emitter Voltage 8 V ICP Pulsed Collector Current 130 A PD @ T

Otros transistores... SPM1001 , SPM1002 , SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , CRG75T65AK5HD , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D .

 

 

 


 
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