SSM28G45EM - аналоги и описание IGBT

 

SSM28G45EM - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SSM28G45EM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(PULSE) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF

Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для SSM28G45EM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SSM28G45EM даташит

 ..1. Size:242K  silicon standard
 ssm28g45em.pdf pdf_icon

SSM28G45EM

SSM28G45EM N-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR High input impedance VCE 450V C High peak current capability ICP 130A C C C 3.3V gate drive C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter Voltage 450 V VGE Gate-Emitter Voltage 6 V VGEP Pulsed Gate-Emitter Voltage 8 V ICP Pulsed Collector Current 130 A PD @ T

Другие IGBT... SPM1001 , SPM1002 , SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , CRG75T65AK5HD , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.