T0160NB45A Todos los transistores

 

T0160NB45A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T0160NB45A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1470 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 4000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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T0160NB45A Datasheet (PDF)

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T0160NB45A

Date:- 15 Feb, 2013 Data Sheet Issue:- 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0160NB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 160

 9.1. Size:15K  utc
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T0160NB45A

UTC T0160 TRIACHIGH PERFORMANCE PNPNDEVICEFEATURES*High performance PNPN device diffused with TAGs proprietary Top GlassTM Process.*It is Intended for general purpose applications where logic compatible gate sensitivity is required.1TO-92 1:MT1 2:G 3:MT2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ,unless otherwise specified )PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT

Otros transistores... SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , IKW40N65WR5 , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 .

History: RJH60A85RDPE | SHDG1025

 

 
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