T0160NB45A Todos los transistores

 

T0160NB45A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T0160NB45A

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1470 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.4 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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T0160NB45A datasheet

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T0160NB45A

Date - 15 Feb, 2013 Data Sheet Issue - 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0160NB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 160

 9.1. Size:15K  utc
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T0160NB45A

UTC T0160 TRIAC HIGH PERFORMANCE PNPN DEVICE FEATURES *High performance PNPN device diffused with TAG s proprietary Top GlassTM Process. *It is Intended for general purpose applications where logic compatible gate sensitivity is required. 1 TO-92 1 MT1 2 G 3 MT2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25 C ,unless otherwise specified ) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT

Otros transistores... SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , IKW40N65WR5 , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 .

History: SKM75GB12V

 

 

 


 
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