T0160NB45A - аналоги и описание IGBT

 

T0160NB45A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: T0160NB45A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1470 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0160NB45A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

T0160NB45A даташит

 ..1. Size:434K  ixys
 t0160nb45a.pdf pdf_icon

T0160NB45A

Date - 15 Feb, 2013 Data Sheet Issue - 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0160NB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 160

 9.1. Size:15K  utc
 t0160.pdf pdf_icon

T0160NB45A

UTC T0160 TRIAC HIGH PERFORMANCE PNPN DEVICE FEATURES *High performance PNPN device diffused with TAG s proprietary Top GlassTM Process. *It is Intended for general purpose applications where logic compatible gate sensitivity is required. 1 TO-92 1 MT1 2 G 3 MT2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25 C ,unless otherwise specified ) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT

Другие IGBT... SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , IKW40N65WR5 , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 .

History: SPM1004

 

 

 


 
↑ Back to Top
.