Справочник IGBT. T0160NB45A

 

T0160NB45A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0160NB45A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1470 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

T0160NB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  ixys
 t0160nb45a.pdf pdf_icon

T0160NB45A

Date:- 15 Feb, 2013 Data Sheet Issue:- 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0160NB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 160

 9.1. Size:15K  utc
 t0160.pdf pdf_icon

T0160NB45A

UTC T0160 TRIACHIGH PERFORMANCE PNPNDEVICEFEATURES*High performance PNPN device diffused with TAGs proprietary Top GlassTM Process.*It is Intended for general purpose applications where logic compatible gate sensitivity is required.1TO-92 1:MT1 2:G 3:MT2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ,unless otherwise specified )PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: DF900R12IP4D | STGWT30V60F | T0360NB25A

 

 
Back to Top

 


 
.