Справочник IGBT. T0160NB45A

 

T0160NB45A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T0160NB45A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1470 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 4000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T0160NB45A

 

 

T0160NB45A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  ixys
 t0160nb45a.pdf

T0160NB45A T0160NB45A

Date:- 15 Feb, 2013 Data Sheet Issue:- 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T0160NB45A Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 4500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 2800 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 160

 9.1. Size:15K  utc
 t0160.pdf

T0160NB45A T0160NB45A

UTC T0160 TRIACHIGH PERFORMANCE PNPNDEVICEFEATURES*High performance PNPN device diffused with TAGs proprietary Top GlassTM Process.*It is Intended for general purpose applications where logic compatible gate sensitivity is required.1TO-92 1:MT1 2:G 3:MT2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ,unless otherwise specified )PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT

Другие IGBT... SPM1003 , SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , IRGB20B60PD1 , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 .

 

 
Back to Top