T1500TB25E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: T1500TB25E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1500 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de T1500TB25E - IGBT
T1500TB25E Datasheet (PDF)
t1500tb25e.pdf
Date:- 18 Feb, 2014 Data Sheet Issue:- 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1500TB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 1500
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Liste
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