T1500TB25E Todos los transistores

 

T1500TB25E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: T1500TB25E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1500 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.3 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 10000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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T1500TB25E Datasheet (PDF)

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T1500TB25E

Date:- 18 Feb, 2014 Data Sheet Issue:- 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1500TB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 1500

Otros transistores... SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , IRG4PF50W , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF .

History: AOK30B120D2 | IXDP20N60BD1 | 2MBI300VE-120-50

 

 
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