T1500TB25E Todos los transistores

 

T1500TB25E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: T1500TB25E

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7800 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1500 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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T1500TB25E datasheet

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T1500TB25E

Date - 18 Feb, 2014 Data Sheet Issue - 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1500TB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 1500

Otros transistores... SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , GT30F125 , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF .

History: STGP35HF60W

 

 

 


 
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