Справочник IGBT. T1500TB25E

 

T1500TB25E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: T1500TB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 10000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для T1500TB25E

 

 

T1500TB25E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  ixys
 t1500tb25e.pdf

T1500TB25E T1500TB25E

Date:- 18 Feb, 2014 Data Sheet Issue:- 1 Insulated Gate Bi-Polar Transistor Type T1500TB25E Absolute Maximum Ratings MAXIMUM VOLTAGE RATINGS UNITS LIMITS VCES Collector emitter voltage 2500 V VDC link Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate. 1250 V VGES Peak gate emitter voltage 20 V MAXIMUM RATINGS UNITS LIMITS IC(DC) DC collector current, IGBT 1500

Другие IGBT... SPM1004 , SPM1005 , SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , IRG4PH50UD , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF .

 

 
Back to Top