T1500TB25E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: T1500TB25E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 10000 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам