SKM75GB12T4 Todos los transistores

 

SKM75GB12T4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM75GB12T4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 290 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM75GB12T4 datasheet

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SKM75GB12T4

SKM75GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 115 A Tj = 175 C Tc =80 C 88 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12T4 Tc =80 C 73 A

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SKM75GB12T4

SKM75GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 114 A Tj = 175 C Tc =80 C 87 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12V Tc =80 C 73 A IFnom 75 A

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SKM75GB12T4

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SKM75GB12T4

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