SKM75GB12T4 - аналоги и описание IGBT

 

SKM75GB12T4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM75GB12T4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM75GB12T4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GB12T4 даташит

 ..1. Size:456K  semikron
 skm75gb12t4.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

SKM75GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 115 A Tj = 175 C Tc =80 C 88 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12T4 Tc =80 C 73 A

 5.1. Size:489K  semikron
 skm75gb12v.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

SKM75GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 114 A Tj = 175 C Tc =80 C 87 A ICnom 75 A ICRM ICRM = 3xICnom 225 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 97 A Tj = 175 C SKM75GB12V Tc =80 C 73 A IFnom 75 A

 5.2. Size:592K  semikron
 skm75gb124d.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

 5.3. Size:538K  semikron
 skm75gb123d.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , BT60T60ANFK , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.