Справочник IGBT. SKM75GB12T4

 

SKM75GB12T4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM75GB12T4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM75GB12T4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM75GB12T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  semikron
 skm75gb12t4.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

SKM75GB12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 115 ATj = 175 CTc =80C 88 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS2tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12T4Tc =80C 73 A

 5.1. Size:489K  semikron
 skm75gb12v.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

SKM75GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 114 ATj = 175 CTc =80C 87 AICnom 75 AICRM ICRM = 3xICnom 225 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 97 ATj = 175 CSKM75GB12VTc =80C 73 AIFnom 75 A

 5.2. Size:592K  semikron
 skm75gb124d.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

 5.3. Size:538K  semikron
 skm75gb123d.pdf pdf_icon

SKM75GB12T4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPM1006 , SSM20G45EGH , SSM20G45EGJ , SSM28G45EM , STGP35HF60W , T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , FGW75N60HD , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF .

History: IXGH30N60C3D1 | 2MBI50J-060 | APTGT150DA120D1 | SGP6N60UF

 

 
Back to Top

 


 
.