SKM900GA12E4 Todos los transistores

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SKM900GA12E4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM900GA12E4

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.83

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 900

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 100

Capacitancia de salida (Cc), pF: 3520

Empaquetado / Estuche: MODULE

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SKM900GA12E4 Datasheet (PDF)

1.1. skm900ga12e4.pdf Size:348K _igbt

SKM900GA12E4
SKM900GA12E4

SKM900GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25°C 1200 V IC Tc =25°C 1305 A Tj = 175 °C Tc =80°C 1003 A ICnom 900 A ICRM ICRM = 3xICnom 2700 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS® 4 tpsc VGE ≤ 15 V Tj =150°C 10 µs VCES ≤ 1200 V Tj -40 ... 175 °C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25°C 871 A Tj = 175 °C SKM900GA12E4 Tc

Otros transistores... T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , IRG4PH50U , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF .

 


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