SKM900GA12E4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM900GA12E4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3520 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM900GA12E4 datasheet
skm900ga12e4.pdf
SKM900GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 1305 A Tj = 175 C Tc =80 C 1003 A ICnom 900 A ICRM ICRM = 3xICnom 2700 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 871 A Tj = 175 C SKM900GA12E4 Tc
Otros transistores... T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , TGAN40N60FD , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF .
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