SKM900GA12E4 - аналоги и описание IGBT

 

SKM900GA12E4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM900GA12E4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3520 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM900GA12E4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM900GA12E4 даташит

 ..1. Size:348K  semikron
 skm900ga12e4.pdf pdf_icon

SKM900GA12E4

SKM900GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 1305 A Tj = 175 C Tc =80 C 1003 A ICnom 900 A ICRM ICRM = 3xICnom 2700 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 871 A Tj = 175 C SKM900GA12E4 Tc

Другие IGBT... T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , TGAN40N60FD , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.