Справочник IGBT. SKM900GA12E4

 

SKM900GA12E4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM900GA12E4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3520 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM900GA12E4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM900GA12E4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  semikron
 skm900ga12e4.pdf pdf_icon

SKM900GA12E4

SKM900GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 1305 ATj = 175 CTc =80C 1003 AICnom 900 AICRM ICRM = 3xICnom 2700 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 871 ATj = 175 CSKM900GA12E4Tc

Другие IGBT... T0160NB45A , T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , IRG4PC50W , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF .

History: IGW75N65H5 | IXGH10N170A | MG12225WB-BN2MM

 

 
Back to Top

 


 
.