Справочник IGBT. SKM900GA12E4

 

SKM900GA12E4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM900GA12E4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3520 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5100 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SKM900GA12E4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  semikron
 skm900ga12e4.pdf pdf_icon

SKM900GA12E4

SKM900GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 1305 ATj = 175 CTc =80C 1003 AICnom 900 AICRM ICRM = 3xICnom 2700 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 871 ATj = 175 CSKM900GA12E4Tc

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: APT30GP60B | MGB15N40CL | STGW35NB60SD | IRG4PC40FDPBF | BRG10N120D | AOTF5B65M1

 

 
Back to Top

 


 
.