VS-20MT120UFAPBF Todos los transistores

 

VS-20MT120UFAPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-20MT120UFAPBF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.29 V @25℃

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 344 pF

Encapsulados: MODULE

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VS-20MT120UFAPBF datasheet

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VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Full Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Al2O3 DBC substrate Very low

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VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFP www.vishay.com Vishay Semiconductors Full Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Aluminum nitride DBC Very low s

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