Справочник IGBT. VS-20MT120UFAPBF

 

VS-20MT120UFAPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-20MT120UFAPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.29 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 344 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для VS-20MT120UFAPBF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-20MT120UFAPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:220K  vishay
 vs-20mt120ufapbf.pdf pdf_icon

VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Al2O3 DBC substrate Very low

 2.1. Size:263K  vishay
 vs-20mt120ufp.pdf pdf_icon

VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFPwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Aluminum nitride DBC Very low s

Другие IGBT... SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , IRGP4062D , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S .

History: BSM25GD120DN2_E3224 | MMG300WB170B | SRE30N065FSSDF | MMG450WB120B6TN | BSM35GP120G | FGY100T65SCDT | 2MBI300U4E-120

 

 
Back to Top

 


 
.