VS-20MT120UFAPBF - аналоги и описание IGBT

 

VS-20MT120UFAPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-20MT120UFAPBF

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.29 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 344 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 176 nC

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-20MT120UFAPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-20MT120UFAPBF даташит

 0.1. Size:220K  vishay
 vs-20mt120ufapbf.pdf pdf_icon

VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Full Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 20 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Al2O3 DBC substrate Very low

 2.1. Size:263K  vishay
 vs-20mt120ufp.pdf pdf_icon

VS-20MT120UFAPBF

VS-20MT120UFP www.vishay.com Vishay Semiconductors Full Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient 10 s short circuit capability HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Low diode VF Square RBSOA Aluminum nitride DBC Very low s

Другие IGBT... SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , IRG7S313U , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.