VS-25MT060WFAPBF Todos los transistores

 

VS-25MT060WFAPBF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS-25MT060WFAPBF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 69 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.22 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 714 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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VS-25MT060WFAPBF Datasheet (PDF)

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VS-25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz t

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History: IRGP4066D-EPBF | IXGX32N170AH1 | RJH60F5BDPQ-A0 | STGW75H65DFB2-4

 

 
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