VS-25MT060WFAPBF Todos los transistores

 

VS-25MT060WFAPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-25MT060WFAPBF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 195 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.22 V @25℃

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 714 pF

Encapsulados: MODULE

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VS-25MT060WFAPBF datasheet

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VS-25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Full Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 A FEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz t

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