Справочник IGBT. VS-25MT060WFAPBF

 

VS-25MT060WFAPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-25MT060WFAPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 69 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.22 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 714 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-25MT060WFAPBF

 

 

VS-25MT060WFAPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:257K  vishay
 vs-25mt060wfapbf.pdf

VS-25MT060WFAPBF VS-25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsFull Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz t

Другие IGBT... SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , IRG4PC40UD , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A .

 

 
Back to Top