VS-25MT060WFAPBF - аналоги и описание IGBT

 

VS-25MT060WFAPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-25MT060WFAPBF

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 69 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.22 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 714 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 175 nC

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-25MT060WFAPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-25MT060WFAPBF даташит

 0.1. Size:257K  vishay
 vs-25mt060wfapbf.pdf pdf_icon

VS-25MT060WFAPBF

VS-25MT060WFAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Full Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 50 A FEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMT thermistor Al2O3 DBC Very low stray inductance design for high speed operation Speed 8 kHz t

Другие IGBT... SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , GT30F132 , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.