VS-40MT120UHAPBF Todos los transistores

 

VS-40MT120UHAPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-40MT120UHAPBF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 463 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.36 V @25℃

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 380 pF

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de VS-40MT120UHAPBF IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS-40MT120UHAPBF datasheet

 0.1. Size:287K  vishay
 vs-40mt120uhapbf.pdf pdf_icon

VS-40MT120UHAPBF

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient Available 10 s short circuit capability Available Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

 2.1. Size:287K  vishay
 vs-40mt120uhtapbf.pdf pdf_icon

VS-40MT120UHAPBF

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient Available 10 s short circuit capability Available Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

Otros transistores... SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , IRGP4063 , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.