VS-40MT120UHAPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-40MT120UHAPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.36 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 380 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 399 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-40MT120UHAPBF
VS-40MT120UHAPBF Datasheet (PDF)
vs-40mt120uhapbf.pdf
VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF
vs-40mt120uhtapbf.pdf
VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2