VS-40MT120UHTAPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS-40MT120UHTAPBF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 463 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.36 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 380 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 399 nC
Encapsulados: MODULE
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VS-40MT120UHTAPBF datasheet
vs-40mt120uhtapbf.pdf
VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient Available 10 s short circuit capability Available Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF
vs-40mt120uhapbf.pdf
VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 A FEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficient Available 10 s short circuit capability Available Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF
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