Справочник IGBT. VS-40MT120UHTAPBF

 

VS-40MT120UHTAPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-40MT120UHTAPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.36 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 380 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-40MT120UHTAPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:287K  vishay
 vs-40mt120uhtapbf.pdf pdf_icon

VS-40MT120UHTAPBF

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

 2.1. Size:287K  vishay
 vs-40mt120uhapbf.pdf pdf_icon

VS-40MT120UHTAPBF

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: STGB20V60F | BSM300GB120DLC | IXBX28N300HV | IXBT10N170 | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | IXGA48N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.