Справочник IGBT. VS-40MT120UHTAPBF

 

VS-40MT120UHTAPBF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-40MT120UHTAPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.36 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 380 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для VS-40MT120UHTAPBF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-40MT120UHTAPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:287K  vishay
 vs-40mt120uhtapbf.pdf pdf_icon

VS-40MT120UHTAPBF

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

 2.1. Size:287K  vishay
 vs-40mt120uhapbf.pdf pdf_icon

VS-40MT120UHTAPBF

VS-40MT120UHAPbF, VS-40MT120UHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 80 AFEATURES Ultrafast Non Punch Through (NPT) technology Positive VCE(on) temperature coefficientAvailable 10 s short circuit capabilityAvailable Square RBSOA HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery and low VF

Другие IGBT... SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , KGF75N65KDF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N , DM2G150SH6NE .

History: IRG7PH35UD1-EP | MMG400D060B6TC | 2MBI600VN-120-50

 

 
Back to Top

 


 
.