VS-50MT060WHTAPBF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS-50MT060WHTAPBF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 658 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 114 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 510 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de VS-50MT060WHTAPBF - IGBT
VS-50MT060WHTAPBF Datasheet (PDF)
vs-50mt060whtapbf.pdf
VS-50MT060WHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMD thermistor (NTC) Very low junction to case thermal resistance UL approved file E78996MTP
Otros transistores... VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , TGAN40N60FD , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N , DM2G150SH6NE , DM2G200SH12A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2