VS-50MT060WHTAPBF Todos los transistores

 

VS-50MT060WHTAPBF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS-50MT060WHTAPBF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 658 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 114 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 510 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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VS-50MT060WHTAPBF Datasheet (PDF)

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VS-50MT060WHTAPBF

VS-50MT060WHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMD thermistor (NTC) Very low junction to case thermal resistance UL approved file E78996MTP

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History: MITB10WB1200TMH | IXGH24N120C3

 

 
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