VS-50MT060WHTAPBF Todos los transistores

VS-50MT060WHTAPBF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-50MT060WHTAPBF

Tipo de transistor: IGBT + Diode

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 658 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 114 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 510 pF

Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 331 nC

Encapsulados: MODULE

- Selección ⓘ de transistores por parámetros