VS-50MT060WHTAPBF - аналоги и описание IGBT

 

VS-50MT060WHTAPBF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-50MT060WHTAPBF

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 658 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 331 nC

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-50MT060WHTAPBF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-50MT060WHTAPBF даташит

 0.1. Size:134K  vishay
 vs-50mt060whtapbf.pdf pdf_icon

VS-50MT060WHTAPBF

VS-50MT060WHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A FEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMD thermistor (NTC) Very low junction to case thermal resistance UL approved file E78996 MTP

Другие IGBT... VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , FGPF4533 , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N , DM2G150SH6NE , DM2G200SH12A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.