VS-50MT060WHTAPBF - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-50MT060WHTAPBF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 658 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 331 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-50MT060WHTAPBF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-50MT060WHTAPBF даташит
vs-50mt060whtapbf.pdf
VS-50MT060WHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A FEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMD thermistor (NTC) Very low junction to case thermal resistance UL approved file E78996 MTP
Другие IGBT... VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , FGPF4533 , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N , DM2G150SH6NE , DM2G200SH12A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement

