Справочник IGBT. VS-50MT060WHTAPBF

 

VS-50MT060WHTAPBF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-50MT060WHTAPBF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 658 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 510 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-50MT060WHTAPBF

 

 

VS-50MT060WHTAPBF Datasheet (PDF)

 0.1. Size:134K  vishay
 vs-50mt060whtapbf.pdf

VS-50MT060WHTAPBF VS-50MT060WHTAPBF

VS-50MT060WHTAPbFwww.vishay.comVishay SemiconductorsHalf Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 AFEATURES Gen 4 warp speed IGBT technology HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery Very low conduction and switching losses Optional SMD thermistor (NTC) Very low junction to case thermal resistance UL approved file E78996MTP

Другие IGBT... VS-100MT060WDF , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , TGAN40N60FD , VS-70MT060WHTAPBF , VS-70MT060WSP , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N , DM2G150SH6NE , DM2G200SH12A .

 

 
Back to Top