VS-70MT060WSP Todos los transistores

 

VS-70MT060WSP IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS-70MT060WSP

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 378 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.93 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 530 pF

Encapsulados: MODULE

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VS-70MT060WSP datasheet

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VS-70MT060WSP

VS-70MT060WSP www.vishay.com Vishay Semiconductors MTP IGBT Power Module Primary Rectifier and PFC FEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pt hyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplate MTP UL approved file E78996 Designed and qualified for industria

 3.1. Size:178K  vishay
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VS-70MT060WSP

VS-70MT060WHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Warp 2 Speed IGBT), 70 A FEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery SMD thermistor (NTC) Al2O3 BDC Very low stay inductance design for high speed operation UL approved file E789

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