VS-70MT060WSP - аналоги и описание IGBT

 

VS-70MT060WSP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-70MT060WSP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 378 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 96 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.93 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 530 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-70MT060WSP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-70MT060WSP даташит

 ..1. Size:198K  vishay
 vs-70mt060wsp.pdf pdf_icon

VS-70MT060WSP

VS-70MT060WSP www.vishay.com Vishay Semiconductors MTP IGBT Power Module Primary Rectifier and PFC FEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pt hyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplate MTP UL approved file E78996 Designed and qualified for industria

 3.1. Size:178K  vishay
 vs-70mt060whtapbf.pdf pdf_icon

VS-70MT060WSP

VS-70MT060WHTAPbF www.vishay.com Vishay Semiconductors Half Bridge IGBT MTP (Warp 2 Speed IGBT), 70 A FEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft reverse recovery SMD thermistor (NTC) Al2O3 BDC Very low stay inductance design for high speed operation UL approved file E789

Другие IGBT... VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF , RJP63K2DPP-M0 , ISL9V3040D3S , ISL9V3040S3S , GT50N322A , DM2G150SH6N , DM2G150SH6NE , DM2G200SH12A , DM2G200SH12AE , DM2G200SH6A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.