HYG30P120H1K1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG30P120H1K1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de HYG30P120H1K1 - IGBT
HYG30P120H1K1 Datasheet (PDF)
hyg30p120h1k1.pdf
HYG30P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 125 Temperature sense included Industry standard package with insulated copper baseplateand soldering pins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive
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Liste
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