HYG30P120H1K1 Todos los transistores

 

HYG30P120H1K1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG30P120H1K1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

HYG30P120H1K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:964K  hy
 hyg30p120h1k1.pdf pdf_icon

HYG30P120H1K1

HYG30P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 125 Temperature sense included Industry standard package with insulated copper baseplateand soldering pins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive

Otros transistores... DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , HYG15P120A1K1 , HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , RJP63F3DPP-M0 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IFS150B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B32 .

History: IQIB75N60D3 | IXGT30N60C3D1 | RJH1CM5DPQ-E0 | DM2G50SH12A | APTGT50X170BTP3 | CT20VSL-8 | MMG200DR120B

 

 
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