HYG30P120H1K1 Todos los transistores

 

HYG30P120H1K1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG30P120H1K1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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HYG30P120H1K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:964K  hy
 hyg30p120h1k1.pdf pdf_icon

HYG30P120H1K1

HYG30P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 125 Temperature sense included Industry standard package with insulated copper baseplateand soldering pins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive

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History: IXGT30N60C2D1 | MG1215H-XBN2MM | MG10Q6ES50A

 

 
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