Справочник IGBT. HYG30P120H1K1

 

HYG30P120H1K1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HYG30P120H1K1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для HYG30P120H1K1

 

 

HYG30P120H1K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:964K  hy
 hyg30p120h1k1.pdf

HYG30P120H1K1 HYG30P120H1K1

HYG30P120H1K1IGBT ModuleF Features Low VCEsattrench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 125 Temperature sense included Industry standard package with insulated copper baseplateand soldering pins for PCB mountingTypical Applications Inverter for motor drive

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top