HYG30P120H1K1 - аналоги и описание IGBT

 

HYG30P120H1K1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HYG30P120H1K1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для HYG30P120H1K1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HYG30P120H1K1 даташит

 ..1. Size:964K  hy
 hyg30p120h1k1.pdf pdf_icon

HYG30P120H1K1

HYG30P120H1K1 IGBT Module F Features Low VCE sat trench IGBT Low switching losses 10us short circuit capability Fast & soft reverse recovery FRD Maximum junction temperature 125 Temperature sense included Industry standard package with insulated copper base plateand soldering pins for PCB mounting Typical Applications Inverter for motor drive

Другие IGBT... DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , HYG15P120A1K1 , HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , BT40T60ANF , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IFS150B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B32 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.