HYG40P120H1S Todos los transistores

 

HYG40P120H1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG40P120H1S
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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HYG40P120H1S Datasheet (PDF)

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HYG40P120H1S

 9.1. Size:1393K  hymexa
 hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG40P120H1S

HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

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History: APT12GT60BRG | CM1800HCB-34N | IGC114T170S8RM | APT50GP60BG | AOK20B65M1 | 7MBR75U2B060 | JT010N065SED

 

 
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