HYG40P120H1S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG40P120H1S  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Encapsulados: MODULE

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HYG40P120H1S datasheet

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HYG40P120H1S

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 hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG40P120H1S

HYG400P10LR1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-40A RDS(ON)= 42m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON)= 48m (typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

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