HYG40P120H1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HYG40P120H1S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
HYG40P120H1S Datasheet (PDF)
hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf
HYG400P10LR1D/U/VP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description -100V/-40ARDS(ON)= 42m(typ.) @ VGS = -10VRDS(ON)= 48m(typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte
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History: IRG7PH28UD1 | APT40GP90BG
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Liste
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