HYG40P120H1S - аналоги и описание IGBT

 

HYG40P120H1S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HYG40P120H1S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для HYG40P120H1S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HYG40P120H1S даташит

 ..1. Size:896K  hy
 hyg40p120h1s.pdf pdf_icon

HYG40P120H1S

 9.1. Size:1393K  hymexa
 hyg400p10lr1d hyg400p10lr1u hyg400p10lr1v.pdf pdf_icon

HYG40P120H1S

HYG400P10LR1D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -100V/-40A RDS(ON)= 42m (typ.) @ VGS = -10V RDS(ON)= 48m (typ.) @ VGS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Portable equipment and battery powered systems DC-DC Converte

Другие IGBT... DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , DM2G400SH6N , HYG15P120A1K1 , HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , FGA60N65SMD , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IFS150B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B32 , IXYH20N120C3D1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.