IFS100B12N3E4_B39 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IFS100B12N3E4_B39
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 515 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de IFS100B12N3E4_B39 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
IFS100B12N3E4_B39 datasheet
ifs100b12n3e4 b39.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IFS100B12N3E4_B39 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode and current sense shunt Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C
ifs100b12n3e4 b31.pdf
/ Technical Information IGBT- IFS100B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base / IGBT4 and HE diode and MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and current sense shun
ifs100b12n3e4-b31.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IFS100B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and current sense shunt Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typ
Otros transistores... HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , RJP63F3DPP-M0 , IFS150B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B32 , IXYH20N120C3D1 , IXYH20N120C3 , IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852