IFS100B12N3E4_B39 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: IFS100B12N3E4_B39 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 515 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IFS100B12N3E4_B39
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IFS100B12N3E4_B39 даташит
ifs100b12n3e4 b39.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IFS100B12N3E4_B39 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode and current sense shunt Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C
ifs100b12n3e4 b31.pdf
/ Technical Information IGBT- IFS100B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base / IGBT4 and HE diode and MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and current sense shun
ifs100b12n3e4-b31.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IFS100B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and current sense shunt Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typ
Другие IGBT... HYG15P120A1K2, HYG15P120B1K1, HYG15P120H1K1, HYG30P120H1K1, HYG40P120H1S, HYG75B120C1S, HYG75P120D1S, IFS100B12N3E4_B31, RJP30H1DPD, IFS150B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B32, IXYH20N120C3D1, IXYH20N120C3, IXYH30N120C3, IXYH30N120C3D1, IXA4I1200UC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852



