IFS100B12N3E4_B39 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IFS100B12N3E4_B39  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 515 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IFS100B12N3E4_B39

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IFS100B12N3E4_B39 даташит

 0.1. Size:662K  infineon
ifs100b12n3e4 b39.pdfpdf_icon

IFS100B12N3E4_B39

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IFS100B12N3E4_B39 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode and current sense shunt Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C

 0.2. Size:893K  infineon
ifs100b12n3e4 b31.pdfpdf_icon

IFS100B12N3E4_B39

/ Technical Information IGBT- IFS100B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base / IGBT4 and HE diode and MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and current sense shun

 1.1. Size:696K  infineon
ifs100b12n3e4-b31.pdfpdf_icon

IFS100B12N3E4_B39

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IFS100B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and current sense shunt Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typ

Другие IGBT... HYG15P120A1K2, HYG15P120B1K1, HYG15P120H1K1, HYG30P120H1K1, HYG40P120H1S, HYG75B120C1S, HYG75P120D1S, IFS100B12N3E4_B31, RJP30H1DPD, IFS150B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B32, IXYH20N120C3D1, IXYH20N120C3, IXYH30N120C3, IXYH30N120C3D1, IXA4I1200UC