IFS150B12N3E4_B31 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IFS150B12N3E4_B31
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Encapsulados: MODULE
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IFS150B12N3E4_B31 datasheet
ifs150b12n3e4 b31.pdf
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