IFS150B12N3E4_B31 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IFS150B12N3E4_B31  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IFS150B12N3E4_B31

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IFS150B12N3E4_B31 даташит

 0.1. Size:890K  infineon
 ifs150b12n3e4 b31.pdf pdf_icon

IFS150B12N3E4_B31

/ Technical Information IGBT- IFS150B12N3E4_B31 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typical Applications Motor Drives Servo Drives Electrical Features Low Switching Losses V Low V CEsat CEsat T

 8.1. Size:616K  infineon
 ifs150v12pt4.pdf pdf_icon

IFS150B12N3E4_B31

Technical Information MIPAQ serve IFS150V12PT4 preliminary data Key data Power module using IGBT4 technology in sixpack configuration. Isolated IGBT driver, protection and temperature sensor included. Topology B6I Rated semiconductor data 1200V, 150A Load type Inductive, resistive Industrial drives, UPS, solar Typical applications inverters, auxiliary inverters tem

Другие IGBT... HYG15P120B1K1, HYG15P120H1K1, HYG30P120H1K1, HYG40P120H1S, HYG75B120C1S, HYG75P120D1S, IFS100B12N3E4_B31, IFS100B12N3E4_B39, JT075N065WED, IFS75B12N3E4_B31, IFS75B12N3E4_B32, IXYH20N120C3D1, IXYH20N120C3, IXYH30N120C3, IXYH30N120C3D1, IXA4I1200UC, IXA4IF1200TC