Справочник IGBT. IFS150B12N3E4_B31

 

IFS150B12N3E4_B31 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IFS150B12N3E4_B31
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IFS150B12N3E4_B31 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:890K  infineon
 ifs150b12n3e4 b31.pdf pdf_icon

IFS150B12N3E4_B31

/ Technical InformationIGBT-IFS150B12N3E4_B31IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRM Typical Applications Motor Drives Servo Drives Electrical Features Low Switching Losses V Low VCEsat CEsat T

 8.1. Size:616K  infineon
 ifs150v12pt4.pdf pdf_icon

IFS150B12N3E4_B31

Technical Information MIPAQ serve IFS150V12PT4 preliminary data Key data Power module using IGBT4 technology in sixpack configuration. Isolated IGBT driver, protection and temperature sensor included. Topology B6I Rated semiconductor data 1200V, 150A Load type Inductive, resistive Industrial drives, UPS, solar Typical applications inverters, auxiliary inverters tem

Другие IGBT... HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IKW75N60T , IFS75B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B32 , IXYH20N120C3D1 , IXYH20N120C3 , IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC .

History: KGF40N60PA | STGFW30H65FB | MIXA20W1200TML | MSG20T65HPT1 | SGM100HF12A1TFDT4 | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D

 

 
Back to Top

 


 
.