IFS75B12N3E4_B32 Todos los transistores

 

IFS75B12N3E4_B32 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IFS75B12N3E4_B32
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 385 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

IFS75B12N3E4_B32 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:747K  infineon
 ifs75b12n3e4 b31.pdf pdf_icon

IFS75B12N3E4_B32

/ Technical InformationIGBT-IFS75B12N3E4_B31IGBT-modulesMIPAQbase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQbase module with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Dat

 0.2. Size:898K  infineon
 ifs75b12n3e4 b32.pdf pdf_icon

IFS75B12N3E4_B32

/ Technical InformationIGBT-IFS75B12N3E4_B32IGBT-modulesMIPAQbase / IGBT4 and 4 diodeand MIPAQbase module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and current senseshunt

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXBT20N360HV | RGT8NS65D | RGT8BM65D | FGA40N60UFD | MMIX1X200N60B3 | OST50N65HF-D

 

 
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