IFS75B12N3E4_B32 Todos los transistores

 

IFS75B12N3E4_B32 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IFS75B12N3E4_B32

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 385 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Encapsulados: MODULE

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IFS75B12N3E4_B32 datasheet

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IFS75B12N3E4_B32

/ Technical Information IGBT- IFS75B12N3E4_B31 IGBT-modules MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with trench/fieldstop IGBT4, emitter controlled 4 diode and current sense shunt IGBT- / IGBT,Inverter / Preliminary Dat

 0.2. Size:898K  infineon
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IFS75B12N3E4_B32

/ Technical Information IGBT- IFS75B12N3E4_B32 IGBT-modules MIPAQ base / IGBT4 and 4 diode and MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and current sense shunt

Otros transistores... HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S , IFS100B12N3E4_B31 , IFS100B12N3E4_B39 , IFS150B12N3E4_B31 , IFS75B12N3E4_B31 , IKW75N60T , IXYH20N120C3D1 , IXYH20N120C3 , IXYH30N120C3 , IXYH30N120C3D1 , IXA4I1200UC , IXA4IF1200TC , IXA4IF1200UC , IXA70I1200NA .

History: IFS100B12N3E4_B31

 

 

 


 
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